Достижения

В институте впервые в мире:

  • обнаружено явление «теплового» выпрямления в полупроводниках;
  • предложен и реализован альтернативный способ и устройство по выпрямлению электрического тока, получившее название термостимулированного диода;
  • обнаружен и исследован тепловой аналог статического скин-эффекта в компенсированных металлах с закрытой поверхностью Ферми;
  • вытеснение теплового потока в приповерхностный слой образца в магнитном поле при низких температурах;
  • обнаружено влияние спинового расщепления нулевого уровня Ландау на осцилляции Шубникова-де Газа;
  • выявлены новые особенности фазовых диаграмм в критической и закритической областях сложных жидких систем;
  • обнаружены новые эволюционные (синергетические) сценарии развития хаотического состояния в электронно-дырочной плазме полупроводников;
  • заложены основы магнитотермодинамики ВТСП в критической, флуктуационной области;
  • установлено существование критического состояния в твердых телах (прежде всего магнитных) и осуществлена наиболее полная экспериментальная проверка выводов современной теории критических явлений, скейлинг-теории и е-разложения;
  • обнаружена инверсия знака эффекта Маджи-Риги-Ледюка в магнетите;
  • методами Монте-Карло определены статические и динамические классы универсальности моделей реальных магнитных структур и сверхрешеток, а также спиновых систем с фрустрациями и немагнитными примесями;
  • проверена справедливость принципиальных основ теории конечно-размерного скейлинга для моделей с кроссоверными переходами;
  • предложены новые способы определения спонтанной намагниченности и спонтанной магнитнострикции;
  • обнаружена мультикритическая точка Лифшица;
  • созданы основы скейлинг-теории магнитоупругости в критической области;
  • установлена незначительность теплового переноса гинзбурговской конвенцией куперовских пар;
  • обнаружено существование бесщелевого состояния в полупроводниках;
  • выделен новый класс сложных полупроводников - квазибесщелевые полупроводники - промежуточный между идеальными и неупорядоченными полупроводниками;
  • впервые выдвинута и обоснована динамическая модель строения ионных расплавов;
  • получена лазерная генерация света в монокристаллических слоях А2В6 при оптическом однофотонном возбуждении;
  • установлены новые особенности поведения сегнетоэлектриков с несоразмерными структурами в области фазовых переходов;
  • предсказан эффект взрыва светового конуса Вавилова-Черенкова в критической точке жидкость - пар;
  • обнаружена примесная люминесценция в халькогенидных стеклообразных полупроводниках;
  • обнаружен эффект подавления сегнетоэлектричества малыми одноосными механическими деформациями;
  • найдены устойчивые многокубитные квантовые состояния, представляющие с бой матричные солитоны в атомарных конденсатах Бозе-Эйнштейна;
  • в кремнии обнаружен эффект увеличения заселенности возбужденных состояний донорных примесей в электрическом поле,который может использоваться при создании террагерцового лазерного источника излучения.

В институте впервые разработаны:

  • методика получения изотопно чистых тонких пленок металлов и элементарных полупроводников;
  • магнитотепловой двигатель, работа которого основана на магнитном фазовом переходе в магнетиках в области температуры Кюри;
  • два типа неохлаждаемых приемных детектора ИК-излучения среднего и ближнего диапазонов на основе соединений CdS, CdSe и CdTe;
  • методика высокотемпературных спектроэлектрохимических измерений расплавленных электролитов;
  • метод лазерно-стимулированной газофазной эпитаксии;
  • перестраиваемый кремниевый источник субмиллиметрового излучения;
  • новая технология импульсного магнетронного распыления оксидных мишеней.